1.廢矽泥烘幹熱解去除水與揮發物；

2.用鹽酸.硝酸.乙酸.乙醇等濕法溶解除雜，清洗烘幹得到高純矽粉；

3.把純單質矽和高純二氧化矽進行研磨至微米級以下，二者比例配比混合進高溫真空熱解反應系統；

4.熱解反應形成的壹氧化矽（氧化亞矽）進行急冷，冷後的氧化亞矽再次研磨至微米級以下；

5.微米級亞矽與有機碳源、微米純碳等添加劑進行配比混合均勻；

6.配比混合進行無氧熱解炭化包覆氧化亞矽，冷卻包覆後物料再進高溫無氧燒結系統，該次燒結可提高碳包覆氧化亞矽材料密度、硬度等性能；

7.燒結物料冷卻後三次高溫無氧燒結，這次燒結使碳包覆氧化亞矽材料提高電導率和電化學性；

8.冷卻碳包覆矽氧材料制成微米納米級，該碳包覆矽氧材料經產品質量檢測後密封包裝外售。

氧化亞矽SiOx體積膨脹遠小於晶體矽，但仍遠高石墨，因此SiOx材料研制仍考慮膨脹性問題，減少SiOx循環中顆粒破碎和粉化，提高材料的循環壽命，因此納米化也是提升材料的循環和倍率性能。

該氧矽材料的首次效率僅為63%。為了從本質提高SiOx材料的首次效率， Si-SiOx-C復合結構的碳矽負極材料，氧化亞矽納米顆粒表面包覆了壹層多孔碳材料，提高了電化學性能，在0.06C下可逆容量達到1562mAh/g，首次效率達到80%，1C循環100次，容量保持率可達88%

優點:  對亞矽碳包覆表面改性,提高亞矽的流動性,提高矽材料電導率、首次效率、容量率、膨脹率、循環性、電化學及壽命，降低膨脹率。

缺點：成本高、首次率略差、膨脹略大、加工性差、循環差、倍率差。